Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC), лидирующий мировой производитель полупроводников, объявил о начале строительства двух новых фабрик для разработки и изготовления чипов, основанных на передовом 2-нанометровом техпроцессе (N2). Дополнительно ведутся подготовительные работы для строительства третьей фабрики, которое предстоит начать после получения одобрения от правительства Тайваня.
Марк Лю (Mark Liu), председатель совета директоров TSMC, поделился планами компании во время разговора с аналитиками и инвесторами, выразив уверенность в начале массового производства чипов с использованием 2-нм техпроцесса уже в 2025 году. Он также упомянул о стремлении компании развернуть несколько производственных площадок в научных парках Хсинчу и Каосюн для удовлетворения растущего спроса.
Первая фабрика будет размещена вблизи Баошаня в Хсинчу, недалеко от исследовательского центра R1, который был специально создан для разработки 2-нм технологии. Ожидается, что фабрика приступит к массовому производству 2-нм полупроводников уже во второй половине 2025 года. Вторая фабрика, также предназначенная для производства 2-нм чипов, будет находиться в научном парке Каосюн, входящем в состав Южного научного парка Тайваня. Её запуск планируется на 2026 год.
Дополнительно, TSMC активно работает над получением разрешений от властей Тайваня на строительство ещё одной фабрики в научном парке Тайчжун. Если строительство этого объекта начнётся в 2025 году, он сможет начать свою работу уже в 2027 году. С вводом в строй всех трёх фабрик, способных выпускать чипы с использованием 2-нм техпроцесса, TSMC существенно укрепит свои позиции на мировом рынке полупроводников, предложив клиентам новые мощности для производства чипов нового поколения.
В планах компании на ближайшее будущее — начало массового производства с применением 2-нм техпроцесса, включающего использование транзисторов с нанолистами и круговыми затворами (GAA) во второй половине 2025 года. К 2026 году предполагается внедрение усовершенствованной версии этого техпроцесса, который, как ожидается, будет предусматривать подачу питания с обратной стороны кристалла, расширяя таким образом возможности массового производства.