Американская компания NEO Semiconductor объявила о завершении разработки и получении патентов на первую в мире многослойную оперативную память DRAM, созданную по аналогии с 3D NAND. Заявлено, что переход на «трёхмерный» тип оперативной памяти только за ближайшие 10 лет в восемь раз увеличит плотность и ёмкость чипов DRAM. Это кратно подстегнёт развитие платформ искусственного интеллекта и вычислений в целом, если технологию поддержат производители.
На примере памяти 3D NAND мы увидели, что рывок ввысь — наращивание числа слоёв в микросхеме вместо увеличения площади одного единственного кристалла — это очень и очень удобно. Первой проявила себя в этом компания Samsung, представив в августе 2013 года флеш-память V-NAND с 24 слоями. Прошло десять лет и сегодня компании предлагают 3D NAND с более чем 200 слоями и обещают в ближайшем будущем 500-слойные микросхемы. Подобный прогресс в области оперативной памяти сегодня был бы крайне востребован, когда мир захлестнула волна интереса к большим языковым моделям ИИ.
Компания NEO Semiconductor предлагает такое решение и готова лицензировать технологию производства всем заинтересованным компаниям. К сожалению, ведущие производители DRAM пока никак не проявили своего интереса к 3D X-DRAM. Сам разработчик в пресс-релизе также не смог обозначить заинтересованности индустрии в этом проекте, что повторяет ситуацию с другим как бы тоже революционным изобретением компании — флеш-памяти X-NAND. Это наводит на мысли, что проработка технологии достаточно сырая или малоперспективная с точки зрения Samsung, SK hynix и Micron.
Впрочем, остаётся вариант, что тройка лидеров рынка DRAM не будет торопиться с 3D X-DRAM до тех пор, пока у неё в запасе остаются планарные технологии производства оперативной памяти. У всех из них в планах освоить выпуск чипов с нормами до 10 нм и менее, путь к чему отлажен и многократно проверен. Когда этот ресурс будет исчерпан, тогда память DRAM начнёт становиться многослойной.
Разработчик 3D X-DRAM пока раскрыл мало информации о новинке. Прежде всего, повышенная плотность ячеек и многослойность достигается за счёт отказа от конденсаторов в составе ячейки памяти — только транзистор и плавающий заряд. Это так называемая ячейка FBC (floating body cell). Тем самым достигается простота архитектуры и конструкции, а также производственного процесса. Например, для основных этапов обработки кристаллов 3D X-DRAM будет достаточно одного фотошаблона, утверждают в NEO Semiconductor. При этом не нужно будет гнаться за передовыми и тонкими техпроцессами — всё начнёт работать на этапе использования зрелых техпроцессов.
В компании рассчитывают увидеть память 3D X-DRAM в производстве с 2025 года или около того. Начать надеются с 128-Гбит микросхем и за десять лет мечтают дойти до плотности 1 Тбит, как это было с памятью 3D NAND. Но без заявлений Samsung и других о поддержке этого начинания в это слабо верится. Будем рады ошибиться. Как известно, памяти никогда много не бывает.